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参数资料
| 型号： | ZXM61N03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 910mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61N03FDKR |
ZXM61N03F
CHARACTERISTICS
10
Refer Note (a)
1.0
0.8
Refer Note (b)
1
100m
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0.6
0.4
0.2
Refer Note (a)
10m
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
240
T - Temperature (°C)
Derating Curve
160
140
120
100
Refer Note (b)
200
160
Refer Note (a)
80
60
D=0.5
120
80
D=0.5
20
40 D=0.2
0
D=0.1
D=0.05
0.0001 0.001
0.01
Single Pulse
0.1
1
10
D=0.2
40
D=0.1
D=0.05
0
0.0001 0.001
0.01
Single Pulse
0.1 1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
ISSUE 1 - JUNE 2004
3
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