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参数资料
| 型号： | ZXM61N03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 910mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61N03FDKR |
ZXM61N03F
TYPICAL CHARACTERISTICS
VGS
10
+25°C
9V
5V
10
+150°C
VGS
4V
5V
4V
1
3.5V
3V
1
100m
3V
2.5V
100m
10m
10m
2.5V
1m
2.0V
1m
0.1
1
V DS - Drain-Source Voltage (V)
10
100u
0.01
0.1 1 10
V DS - Drain-Source Voltage (V)
100
Output Characteristics
Ouput Characteristics
10
VDS=10V
2.0
RDS(on)
1
1.5
1.0
VGS=10V
ID=0.91A
0.1
T=150°C
T=25°C
0.5
VGS=VDS
ID=250uA
VGS(th)
0.01
1.5
2.5
3.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
10
V GS - Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
100
10
1
T j - Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th)
v Temperature
1
VGS=4.5V
VGS=10V
100m
10m
T=150°C
T=25°C
1m
0.1
0.1
1
10
100
100μ
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D - Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
V SD - Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ISSUE 1 - JUNE 2004
5
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