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参数资料
| 型号： | ZXM62N03GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM62N03GDKR |
ZXM62N03G
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
+25°C
100
+150°C
10
10V 8V 7V 6V
VGS
5V
4.5V
4V
10
10V 8V 7V 6V
VGS
5V
4.5V
4V
3.5V
3.5V
1
3V
1
3V
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
100
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
VDS=10V
1.6
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.4
RDS(on)
VGS=10V
10
T=150°C
T=25°C
1.2
1.0
ID=2.2A
VGS=VDS
1
0.8
VGS(th)
ID=250uA
0.6
0.1
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
10
1
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
VGS=3V
100
10
Tj - Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th)
v Temperature
0.1
VGS=4.5V
VGS=10V
1
T=150°C
T=25°C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D - Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
ISSUE 1 - OCTOBER 2002
5
V SD - Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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