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参数资料
| 型号： | ZXM62N03GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM62N03GDKR |
ZXM62N03G
TYPICAL CHARACTERISTICS
900
800
700
600
500
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
5
4.5
4
3.5
3
I D =2.2A
V DS =16V
2.5
400
300
200
100
2
1.5
1
0.5
0
0.1
1
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
6
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - OCTOBER 2002
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXM62P02E6TA | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| ZXM62P03E6TA | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 |
| ZXM64N02XTC | MOSFET N-CHAN 20V MSOP8 |
| ZXM64N035L3 | MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3 |
| ZXM64P02XTC | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM62N03GTC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXM62P02E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, -2.3A, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.3A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):200mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV , RoHS Compliant: Yes |
| ZXM62P02E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 |
| ZXM62P02E6_04 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXM62P02E6TA | 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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