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参数资料
| 型号： | ZXM62P03E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM62P03E6DKR |
ZXM62P03E6
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT-26
Dim
Min
Max Typ
B C
A
B
C
0.35
1.50
2.70
0.50 0.38
1.70 1.60
3.00 2.80
D
??
??
0.95
H
2.90
3.10 3.00
H
J
0.013 0.10 0.05
K
1.00
1.30 1.10
K
M
L
M
0.35
0.10
0.55 0.40
0.20 0.15
J
D
L
?? 0° 8° ??
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
3.20
1.60
Z
G
C1
X
Y
0.55
0.80
C1
2.40
Y
X
C2
0.95
ZXM62P03E6
Document Number: DS33483 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ZXM64P02XTC | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
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| ZXM64P03XTC | MOSFET P-CHAN 30V MSOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM62P03E6TC | 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZXM62P03GTA | 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM62P03GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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