- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXMC3A16DN8TA (Diodes Inc)MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMC3A16DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A，4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC3A16DN8DKR |
ZXMC3A16DN8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
N-Channel V (BR)DSS = 30V; R DS(ON) = 0.035 ; I D = 6.4A
P-Channel V (BR)DSS = -30V; R DS(ON) = 0.048 ; I D = -5.4A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? Motor Drive
? LCD backlighting
ORDERING INFORMATION
Q1 = N-CHANNEL
SO8
Q2 = P-CHANNEL
DEVICE
REEL
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TC
7 ’‘
13’‘
12mm
12mm
500 units
2500 units
PINOUT
DEVICE MARKING
ZXMC
3A16
Top view
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3A17DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC |
| ZXMC3A18DN8TA | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
| ZXMC3AM832TA | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 |
| ZXMC3AMCTA | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
| ZXMC4559DN8TA | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3A16DN8TC | 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8 | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A17DN8TA | 功能描述:MOSFET 30V Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8TC | 功能描述:MOSFET 30V Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。