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参数资料
| 型号： | ZXMC3A16DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A，4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC3A16DN8DKR |
ZXMC3A16DN8
P-CHANNEL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
STATIC
I =-250 A, V DS = V GS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance (1)(3)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
R DS(on)
g fs
-30
1.0
9.2
-1.0
100
0.048
0.070
V
A
nA
V
S
I D =-250 μ A, V GS =0V
V DS =-30V, V GS =0V
V GS = 20V, V DS =0V
D
V GS =-10V, I D =-4.2A
V GS =-4.5V, I D =-3.4A
V DS =-15V,I D =-4.2A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
C iss
970
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
166
116
pF
pF
V DS =-15 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
3.8
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
6.1
35
19
12.9
24.9
2.67
3.86
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DD =-15V, I D =-1A
R G =6.0 ? , V GS =-10V
V DS =-15V,V GS =-5V,
I D =-4.2A
V DS =-15V,V GS =-10V,
I D =-4.2A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
-0.85
-0.95
V
T J =25°C, I S =-3.6A,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge
(3)
t rr
Q rr
21.2
18.7
ns
nC
T J =25°C, I F =-2A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width ≤ 300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMC3A17DN8TC | 功能描述:MOSFET 30V Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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