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参数资料
| 型号： | ZXMC3A18DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A，4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMC3A18DN8DKR |
ZXMC3A18DN8
Complementary 30V enhancement mode MOSFET
Summary
N-Channel = V (BR)DSS = 30V : R DS(on) = 0.025 ; I D = 7.6A
P-Channel = V (BR)DSS = -30V : R DS(on) = 0.035 ; I D = -6.3A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex
utilizes a unique structure that combines the benefits of
low on-resistance with fast switching speed. This makes
them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
Features
G1
D1
S1
G2
D2
S2
?
?
?
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package
Q1 N-Channel
S1
G1
S2
Q2 P-Channel
D1
D1
D2
Applications
?
?
Motor Drive
LCD backlighting
G2
SO8
D2
Ordering information
Device
ZXMC3A18DN8TC
Reel size
(inches)
13
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
2500
Device marking
ZXMC
3A18
Issue 2 - September 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3A18DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AM832 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3AM832(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMC3AM832(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMC3AM832TA | 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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