参数资料
型号: ZXMC3A18DN8TA
厂商: Diodes Inc
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描述: MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
产品目录绘图: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.8A,4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: ZXMC3A18DN8DKR
ZXMC3A18DN8
Intentionally left blank
Issue 2 - September 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
10
www.zetex.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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ZXMC3AM832 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC3AM832(1) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMC3AM832(2) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube