参数资料
型号: ZXMC3A17DN8TC
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
标准包装: 2,500
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.1A,3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 7.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
ADVANCE INFORMATION
ZXMC3A17DN8
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
7
SEMICONDUCTORS
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