- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXMC3AMCTA (Diodes Inc)MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMC3AMCTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMC3AMCTADKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMC3AMC
Thermal Characteristics
10
1
R DS(ON)
Limited
DC
1s
10
1
R DS(ON)
Limited
DC 1s
100m
100ms
8 sq cm 2oz Cu
One active die
10ms
1ms
100us
100m
100ms
8 sq cm 2oz Cu
One active die
10ms
1ms
100us
10m
Single Pulse, T amb =25°C
10m
Single Pulse, T amb =25°C
1
10
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
90
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
2.0
80
60
8 sq cm 2oz Cu
One active die
1.5
10 sq cm 1oz Cu
Two active die
8 sq cm 2oz Cu
One active die
40
D=0.5
1.0
10 sq cm 1oz Cu
One active die
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0.5
0.0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
25
50
75
100
125
150
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
3.5
225
Temperature (°C)
Derating Curve
3.0
2.5
T amb =25°C
T j max =150°C
Continuous
2oz Cu
Two active die
200
175
150
1oz Cu
One active die
1oz Cu
Two active die
2.0
1.5
2oz Cu
One active die
125
100
1.0
1oz Cu
75
50
2oz Cu
One active die
0.5
1oz Cu
One active die
Two active die
25
2oz Cu
Two active die
0.0
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Board Cu Area (sqcm)
Power Dissipation v Board Area
Board Cu Area (sqcm)
Thermal Resistance v Board Area
ZXMC3AMC
Document number: DS35088 Rev. 1 - 2
3 of 11
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC4559DN8TA | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC |
| ZXMC4A16DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC |
| ZXMD63C03XTC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP |
| ZXMD63N02XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP |
| ZXMD63N03XTC | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3F31DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary dual enhancement mode |
| ZXMC3F31DN8TA | 功能描述:功率驱动器IC 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXMC4559DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC4559DN8(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMC4559DN8TA | 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。