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参数资料
| 型号： | ZXMC3AMCTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMC3AMCTADKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMC3AMC
Typical Electrical Characteristics – Q1 N-Channel
10
T = 25°C
10V
7V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
7V
5V
4.5V
4V
3.5V
4V
3.5V
1
0.1
3V
V GS
2.5V
1
0.1
3V
2.5V
V GS
2V
10
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
0.1
V DS = 10V
T = 150°C
T = 25°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 2.5A
V GS = V DS
I D = 250uA
R DS(on)
V GS(th)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50
0
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
2.5V
3V
3.5V
4V
V GS
10
1
4.5V
5V
7V
1
T = 150°C
0.1
T = 25°C
10V
0.1
T = 25°C
0.1 1
I D Drain Current (A)
10
0.4
0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
1.2
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMC3AMC
Document number: DS35088 Rev. 1 - 2
5 of 11
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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