参数资料
型号: ZXMD63C03XTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP
标准包装: 4,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 135 毫欧 @ 1.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25 V
功率 - 最大: 1.04W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 带卷 (TR)
ZXMD63C03X
N-CHANNEL CHARACTERISTICS
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2007
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PDF描述
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