参数资料
型号: ZXMD63N02XTC
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP
标准包装: 4,000
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫欧 @ 1.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 15V
功率 - 最大: 870mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 带卷 (TR)
ZXMD63N02X
Typical Characteristics
ZXMN63N02X
Document number: DS33500 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
June 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
ZXMD63N03XTC MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8MSOP
ZXMD63P02XTC MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP
ZXMD63P03XTC MOSFET DUAL P-CHAN 30V 8MSOP
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参数描述
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