- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXMHC3A01N8TC (Diodes Inc)MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMHC3A01N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.17A，1.64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC3A01N8DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMHC3A01N8
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
Summary
Device
V (BR)DSS
Q G
R DS(on)
I D
T A = 25 ° C
125m ? @ V GS = 10V
2.7A
N-CH
P-CH
30V
-30V
3.9nC
5.2nC
180m ? @ V GS = 4.5V
210m ? @ V GS = -10V
2.2A
-2.1A
330m ? @ V GS = -4.5V
Description
This new generation complementary MOSFET H-Bridge
-1.6A
P1S/P2S
features low on-resistance achievable with low gate drive.
Features
P1G
P2G
?
2 x N + 2 x P channels in a SOIC package
P1D/N1D
P2D/N2D
Applications
?
?
DC Motor control
DC-AC Inverters
N1G
N2G
N1S/N2S
Ordering information
Device
ZXMHC3A01N8TC
Reel size
(inches)
13
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
2,500
Device marking
ZXMHC
3A01
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
1
www.diodes.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMHC3F381N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC |
| ZXMHC6A07N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
| ZXMHC6A07T8TA | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| ZXMHN6A07T8TA | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 |
| ZXMN0545G4TA | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC3A01T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3A01T8TA | 功能描述:MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMHC3A01T8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3F381N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge |
| ZXMHC3F381N8TC | 功能描述:MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。