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参数资料
| 型号： | ZXMHC3A01N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.17A，1.64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC3A01N8DIDKR |
ZXMHC3A01N8
N-channel typical characteristics
10
T =25°C
10V
7V
5V
4.5V
10
T =150°C
10V
7V
5V
4.5V
4V
4V
1
0.1
V GS
3.5V
3V
2.5V
1
0.1
V GS
3.5V
3V
2.5V
2V
10
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V DS =10V
1.4
V GS =10V
I D =2.5A
R DS(on)
1.2
T =150°C
1
1.0
0.8
V GS(th)
T =25°C
0.6
V GS =V DS
I D =250uA
0.1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.4
-50
0
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
2.5V
3V
3.5V
4V
V GS
10
T =150°C
1
4.5V
5V
1
0.1
T =25°C
7V
10V
0.1
T =25°C
0.1 1
I D Drain Current (A)
10
0.4
0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
1.2
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
5
www.diodes.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMHC3F381N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC |
| ZXMHC6A07N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
| ZXMHC6A07T8TA | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| ZXMHN6A07T8TA | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 |
| ZXMN0545G4TA | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC3A01T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3A01T8TA | 功能描述:MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMHC3A01T8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3F381N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge |
| ZXMHC3F381N8TC | 功能描述:MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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