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参数资料
| 型号： | ZXMHC6A07T8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A，1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装： | SM8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC6A07T8DKR |
ZXMHC6A07T8
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY
N-Channel V (BR)DSS = 60V; R DS(ON) = 0.300 ; I D = 1.8A
P-Channel V (BR)DSS = -60V; R DS(ON) = 0.425 ; I D = -1.5A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low On - Resistance
SM8
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? SM8 package
APPLICATIONS
? Motor drive
G 1
D 1 , D 2
G 2
S 1
S 2
S 4
S 3
G 4
D 3 , D 4
G 3
ORDERING INFORMATION
PINOUT DIAGRAM
DEVICE
ZXMHC6A07T8TA
ZXMHC6A07T8TC
REEL
SIZE
7 ’‘
13’‘
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
1000 units
4000 units
DEVICE MARKING
? ZXMH
C6A07
Top View
ISSUE 2 - MAY 2005
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMHN6A07T8TA | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 |
| ZXMN0545G4TA | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| ZXMN10A08DN8TC | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC6A07T8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHN6A07T8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHN6A07T8TA | 功能描述:MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMHN6A07T8TC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMN0545FFTA | 功能描述:MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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