型号: | ZXMHC6A07T8TA |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥式) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.6A,1.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 300 毫欧 @ 1.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 3.2nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 166pF @ 40V |
功率 - 最大: | 1.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-223-8 |
供应商设备封装: | SM8 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | ZXMHC6A07T8DKR |