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参数资料
| 型号： | ZXMHC6A07T8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A，1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装： | SM8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC6A07T8DKR |
ZXMHC6A07T8
N-CHANNEL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
60
1
100
V
μA
nA
I D =250μA, V GS =0V
V DS =60V, V GS =0V
V GS =±20V, V DS =0V
I =250μA, V DS = V GS
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
1
3.0
V
D
Static Drain-Source On-State Resistance
Forward Transconductance (1)(3)
(1)
R DS(on)
g fs
2.3
0.300
0.450
?
?
S
V GS =10V, I D =1.8A
V GS =4.5V, I D =1.3A
V DS =15V,I D =1.8A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
166
19.5
8.7
pF
pF
pF
V DS =40V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
1.8
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
1.4
4.9
2.0
1.65
3.2
0.67
0.82
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DD =30V, I D =1.8A
R G ? 6.0 ? , V GS =10V
V DS =30V,V GS =5V,
I D =1.8A
V DS =30V,V GS =10V,
I D =1.8A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
0.85
0.95
V
T J =25°C, I S =0.45A,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge
(3)
t rr
Q rr
20.5
21.3
ns
nC
T J =25°C, I F =1.8A,
di/dt= 100A/μs
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width ≤ 300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 2 - MAY 2005
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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