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参数资料
| 型号： | ZXMN10A07FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 138pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A07FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A07F
Typical Characteristics (cont.)
200
10
180
160
140
V GS = 0V
f = 1MHz
8
I D = 1.0A
120
100
80
60
C ISS
C OSS
C RSS
6
4
V DS = 50V
40
20
2
0
1
10
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Test Circuits
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
ZXMN10A07F
Document number: DS33564 Rev. 6 - 2
5 of 7
www.diodes.com
August 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN10A07FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN10A07F Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -SOT-223 |
| ZXMN10A07FTC | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A07Z | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A07Z_04 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A07ZTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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