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参数资料
| 型号： | ZXMN10A08G |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A08GDKR |
ZXMN10A08G
100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
100
Description
R DS(on) ( )
0.250 @ V GS = 10V
0.300 @ V GS = 6V
I D (A)
2.9
2.6
D
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique
structure combining the benefits of low on-resistance and fast
switching, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Features
G
S
?
?
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
SOT223 package
Applications
?
DC-DC converters
S
?
?
?
Power management functions
Disconnect switches
Motor control
D
D
G
Ordering information
Pinout - top view
Device
ZXMN10A08GTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
1,000
Device marking
ZXMN
10A08
Issue 1 - June 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN10A08GTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A09K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A09KTC | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A11G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 2.4A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZXMN10A11G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
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