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参数资料
| 型号： | ZXMN10A11GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A11GDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A11G
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
100
?
?
?
?
?
?
1
± 100
V
μ A
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 100V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 5)
Forward Transconductance (Notes 5 & 6)
Diode Forward Voltage (Note 5)
Reverse recovery time (Note 6)
Reverse recovery charge (Note 6)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
2.0
?
?
?
?
?
?
4
0.85
26
30
4.0
0.35
0.45
?
0.95
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 2.6A
V GS = 6V, I D = 1.3A
V DS = 15V, I D = 2.6A
I S = 1.85A, V GS = 0V
I F = 1.0A, di/dt = 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 6)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge (Note 7)
Total Gate Charge (Note 7)
C iss
C oss
C rss
Q g
Q g
?
?
?
?
?
274
21
11
3.5
5.4
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
nC
nC
V DS = 50V, V GS = 0V
f = 1MHz
V GS = 6.0V
V DS = 50V
Gate-Source Charge (Note 7)
Gate-Drain Charge (Note 7)
Turn-On Delay Time (Note 7)
Q gs
Q gd
t D(on)
?
?
?
1.4
1.5
2.7
?
?
?
nC
nC
ns
V GS = 10V
I D = 2.5A
Turn-On Rise Time (Note 7)
Turn-Off Delay Time (Note 7)
Turn-Off Fall Time (Note 7)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
1.7
7.4
3.5
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = 50V, V GS = 10V
I D = 1A, R G ? 6.0 Ω
Notes:
5. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
6. For design aid only, not subject to production testing.
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
ZXMN10A11G
Document Number DS32056 Rev. 6 - 2
4 of 8
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
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