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参数资料
| 型号： | ZXMN10A11GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A11GDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A11G
Typical Characteristics
10
10
T = 25°C
10V
5V
T = 150°C
10V
5V
4.5V
1
0.1
V GS
4.5V
4V
3.5V
1
0.1
4V
3.5V
3V
V GS
2.5V
0.01
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2.2
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 2.6A
R DS(on)
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
V DS = 10V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = V DS
I D = 250uA
V GS(th)
3
4
5
-50
0
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
10
3.5V
V GS
4V
4.5V
T = 150°C
10
1
T = 25°C
5V
10V
1
0.1
T = 25°C
0.1
0.01 0.1 1
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMN10A11G
Document Number DS32056 Rev. 6 - 2
5 of 8
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
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参数描述 |
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