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参数资料
| 型号： | ZXMN10A11GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A11GDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A11G
Package Outline Dimensions
DIM
A
A1
A2
b
b2
C
Millimeters
Min Max
- 1.80
0.02 0.10
1.55 1.65
0.66 0.84
2.90 3.10
0.23 0.33
Inches
Min Max
- 0.071
0.0008 0.004
0.0610 0.0649
0.026 0.033
0.114 0.122
0.009 0.013
DIM
D
e
e1
E
E1
L
Millimeters
Min Max
6.30 6.70
2.30 BSC
4.60 BSC
6.70 7.30
3.30 3.70
0.90 -
Inches
Min Max
0.248 0.264
0.0905 BSC
0.181 BSC
0.264 0.287
0.130 0.146
0.355 -
Suggested Pad Layout
3.8
0.15
2.0
0.079
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
2.3
0.091
mm
inches
ZXMN10A11G
Document Number DS32056 Rev. 6 - 2
7 of 8
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOCJY3-100.000MHZ-E-SW | OSC OCXO 100.0MHZ 3.3V SINEWAVE |
| D2MC-5E1 | SWITCH |
| ASG-D-V-A-1.000GHZ | VCXO 1.000 GHZ 3.3V LVDS SMD |
| SKY13353-337LF | IC SWITCH DPDT 3GHZ 12 QFN |
| AOCJY2-100.000MHZ-E | OSC OCXO 100.0MHZ 3.3V SQUAREWAV |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN10A11GTC | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZXMN10A11KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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