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参数资料
| 型号： | ZXMN10A11K |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V DPAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.11W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A11KDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A11K
Typical Characteristics - continued
400
V GS = 0V
10
I D = 2.5A
300
f = 1MHz
8
6
200
C ISS
C OSS
C RSS
4
100
2
V DS = 50V
0
1
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMN10A11K
Document Number DS32058 Rev. 2 - 2
6 of 8
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN10A25GTA | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZXMN10A25KTC | MOSFET N-CH 100V DPAK |
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| ZXMN15A27KTC | MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN10A11KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZXMN10A25GTA | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN10A25K | 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ZXMN10A25KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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