参数资料
型号: ZXMN2A01FTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 303pF @ 15V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
ZXMN2A01F
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
X
E
C
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
ZXMN2A01F
Document number: DS33513 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
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