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参数资料
| 型号： | ZXMN2A02N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2A02N8DKR |
ZXMN2A02N8
PACKAGE OUTLINE
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
MILLIMETRES
D
DIM
A
A1
D
H
MIN
0.053
0.004
0.189
0.228
MAX
0.069
0.010
0.197
0.244
MIN
1.35
0.10
4.80
5.80
MAX
1.75
0.25
5.00
6.20
Pin 1
c
E
L
0.150
0.016
0.157
0.050
3.80
0.40
4.00
1.27
Seating Plane
e
0.050 BSC
1.27 BSC
b
e
b
0.013
0.020
0.33
0.51
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES
APPROX IN MILLIMETERS
c
h
0.008
0
0.010
0.010
8
0.020
0.19
0
0.25
0.25
8
0.50
? Zetex Semiconductors plc 2007
Europe
Zetex GmbH
Kustermann-Park
Balanstra?e 59
D-81541 München
Americas
Zetex Inc
700 Veterans Memorial Hwy
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ISSUE 6 - FEBRUARY 2007
SEMICONDUCTORS
8
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMN2A02N8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A02X8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A02X8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A02X8TA | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A02X8TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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