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参数资料
| 型号： | ZXMN2F30FHTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 452pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 960mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2F30FHDKR |
ZXMN2F30FH
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Static
Drain-Source Breakdown
V (BR)DSS
20
V
I D = 250 μ A, V GS =0V
Voltage
Zero Gate Voltage Drain
I DSS
1
μ A
V DS = 20V, V GS =0V
Current
Gate-Body Leakage
I GSS
100
nA
V GS =±12V, V DS =0V
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.6
0.9
1.5
V
I D = 250 μ A, V DS =V GS
Voltage
Static Drain-Source
On-State Resistance (*)
Forward
R DS(on)
g fs
8.6
0.045
0.065
?
?
S
V GS = 4.5V, I D = 2.5A
V GS = 2.5V, I D = 2.0A
V DS = 10V, I D = 3A
Transconductance (*)(?)
Dynamic (?)
Input Capacitance
C iss
452
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer
C oss
C rss
102
58
pF
pF
V DS = 10V, V GS =0V
f=1MHz
Capacitance
Switching (?)(?)
Turn-On-Delay Time
t d(on)
2.9
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
5.6
19.4
10.2
4.8
1
1.2
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD = 10V, V GS = 4.5V
I D = 1A
R G ≈ 6.0 ?
V DS = 10V, V GS = 4.5V
I D = 3.5A
Source-drain diode
Diode Forward Voltage (*)
V SD
0.75
1.2
V
I S = 1.25A, V GS =0V
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%.
(?) For design aid only, not subject to production testing.
(?) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
Issue 1 - January 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
4
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZXMN2F34FHTA | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZXMN2H34FHTA | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N/A - Tape and Reel |
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