参数资料
型号: ZXMN3A04KTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
其它图纸: D-PAK
D-PAK Pin Out
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 15V
功率 - 最大: 2.15W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN3A04KTCDKR
ZXMN3A04K
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 1 - FEBRUARY 2004
5
SEMICONDUCTORS
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PDF描述
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ZXMN3A06DN8TC 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube