- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录540 > ZXMN3B01FTA (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN3B01FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.93nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 258pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3B01FDKR |
ZXMN3B01F
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
SUMMARY
V (BR)DSS =30V : R DS(on) =0.15 ; I D =2A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that
combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes
them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? SOT23 package
APPLICATIONS
? DC-DC Converters
? Power Management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SOT23
PINOUT
DEVICE
ZXMN3B01FTA
ZXMN3B01FTC
DEVICE MARKING
? 3B1
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
WIDTH
8mm
8mm
QUANTITY
PER REEL
3000 units
10000 units
TOP VIEW
ISSUE 1 - DECEMBER 2005
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3B04N8TC | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC |
| ZXMN3B14FTA | MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3 |
| ZXMN3F30FHTA | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 |
| ZXMN3F31DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN3G32DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3B01FTC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B04N8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B04N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B04N8TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B14F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。