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参数资料
| 型号： | ZXMN3B04N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2480pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3B04N8
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
SUMMARY
V (BR)DSS =30V : R DS ( on )=0.025 ; I D = 8.9A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? DC - DC converters
? Power management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SO8
DEVICE
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
Top View
DEVICE MARKING
? ZXMN
3B04
ISSUE 2 - MAY 2004
1
SEMICONDUCTORS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZXMN3B14F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14F(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMN3B14F_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14FTA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B14FTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
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