- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录540 > ZXMN3F30FHTA (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN3F30FHTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 318pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3F30FHDKR |
ZXMN3F30FH
30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
30
R DS(on) ( Ω )
0.047 @ V GS = 10V
0.065 @ V GS = 4.5V
I D (A)
4.6
4.0
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-
resistance achievable with 4.5V gate drive.
Features
?
?
?
Low on-resistance
4.5V gate drive capability
SOT23
G
D
Applications
?
?
?
DC-DC Converters
Power management functions
Motor Control
S
Ordering information
DEVICE
ZXMN3F30FHTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity
per reel
3000
D
S
Device marking
KNA
Top view
G
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3F31DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN3G32DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN4A06GTA | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 |
| ZXMN4A06KTC | MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK |
| ZXMN6A07FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3F318DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN3F318DN8TA | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN3F31DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN3F31DN8TA | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3G32DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。