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参数资料
| 型号： | ZXMN3F31DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3F31DN8DKR |
ZXMN3F31DN8
30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
30
R DS(on) ( Ω )
0.024 @ V GS = 10V
0.039 @ V GS = 4.5V
I D (A)
7.3
5.7
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-
resistance achievable with 4.5V gate drive.
Features
?
Low on-resistance
?
4.5V gate drive capability
Applications
G1
D1
G2
D2
?
?
?
?
?
DC-DC Converters
Power management functions
Load switching
Motor control
Back lighting
S1
S1
G1
S2
D1
D1
Ordering information
S2
D2
DEVICE
Reel size
Tape width
Quantity
G2
D2
(inches)
(mm)
per reel
ZXMN3F31DN8TA
7
12
500
Device marking
ZXMN
3F31D
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3G32DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN4A06GTA | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 |
| ZXMN4A06KTC | MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK |
| ZXMN6A07FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZXMN6A07ZTA | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3G32DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN3G32DN8TA | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN4A06G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN4A06GTA | 功能描述:MOSFET 40V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN4A06GTC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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