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参数资料
| 型号： | ZXMN3B04N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2480pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3B04N8DKR |
ZXMN3B04N8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-source voltage
Gate source voltage
SYMBOL
V DSS
V GS
LIMIT
30
12
UNIT
V
V
Continuous drain current
@ V GS =4.5V; T A =25°C (b)
@ V GS =4.5V; T A =70°C (b)
@ V GS =4.5V; T A =25°C (a)
I D
8.9
7.3
7.2
A
A
A
Pulsed drain current
(c)
I DM
45
A
Continuous source current (body diode) (b)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T A =25°C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T A =25°C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
I S
I SM
P D
P D
T j :T stg
4.5
45
2
16
3
24
-55 to +150
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to ambient
(a)
R JA
62.5
°C/W
Junction to ambient (b)
R JA
41.4
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 50mm x 50mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
ISSUE 2 - MAY 2004
SEMICONDUCTORS
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTCBA-C1X-N3-NAM | MODEM CDMA FOR VERIZON NETWORKS |
| VIPER-S4 | REMOTE CONTROL SYSTEM FM 4CH |
| 94MT80KB | RECT BRIDGE 800V 90A INT-A-PAK |
| 94MT160KB | RECT BRIDGE 1600V 90A INT-A-PAK |
| XEB09-CISA | XPRESS ETHERNET BRIDGE, SINGLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3B04N8TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B14F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14F(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMN3B14F_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14FTA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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