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参数资料
| 型号： | ZXMN3B04N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2480pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3B04N8DKR |
ZXMN3B04N8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS
STATIC
I =250 A, V DS = V GS
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-body leakage
Gate-source threshold voltage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
30
0.7
0.5
100
V
A
nA
V
I D =250 A, V GS =0V
V DS =30V, V GS =0V
V GS = 12V, V DS =0V
D
Static drain-source on-state
resistance (1)
R DS(on)
0.021
0.028
0.025
0.040
V GS =4.5V, I D =7.2A
V GS =2.5V, I D =5.7A
Forward transconductance
(1) (3)
g fs
24
S
V DS =15V,I D =7.2A
DYNAMIC (3)
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
C iss
C oss
C rss
2480
318
184
pF
pF
pF
V DS =15V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
9
11.5
40
16.6
23.1
4.9
6.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD =15V, V GS =4.5V
I D =1A
R G ? 6.0 ,
V DS =15V,V GS =4.5V,
I D =7.2A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode forward voltage (1)
V SD
0.85
0.95
V
T J =25°C, I S =8A,
V GS =0V
Reverse recovery time (3)
Reverse recovery charge (3)
t rr
Q rr
17.9
10
ns
nC
T J =25°C, I F =3.2A,
di/dt= 100A/ s
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 2 - MAY 2004
SEMICONDUCTORS
4
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3B04N8TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B14F | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14F(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMN3B14F_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B14FTA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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