参数资料
型号: ZXMN6A09DN8TC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC
标准包装: 2,500
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 8.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1407pF @ 40V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)

ZXMN6A08E6
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4V
4V
3.5V
1
3.5V
1
3V
2.5V
3V
0.1
V GS
0.1
V GS
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2V
2.0
10
1
V DS = 10V
T = 150°C
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 4.8A
R DS(on)
1.0
0.1
T = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS(th)
V GS = V DS
I D = 250uA
0.01
2 3 4 5
V GS Gate-Source Voltage (V)
0.0
-50
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
3V
3.5V
4V
4.5V
10
1
T = 150°C
T = 25°C
V GS
5V
1
0.1
T = 25°C
0.1
7V
V GS = 0V
0.1
1
I D Drain Current (A)
10
10V
0.01
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD Source-Drain Voltage (V)
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
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www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
M2043TNW01-DA SWITCH ROCKER 4PDT 6A 125V
425F11K048M0000 CRYSTAL 48.0 MHZ 8PF SMD
5707.0105.313 MOD POWER ENTRY W/FILTER 1A M80
425F11K040M0000 CRYSTAL 40.0 MHZ 8PF SMD
7036Y6AB+U622 SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXMN6A09DN8TCA 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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