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参数资料
| 型号： | ZXMN6A09DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1407pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN6A08E6
Typical Characteristics (cont.)
10
600
400
C ISS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
200
C OSS
C RSS
4
2
V DS = 15V
I D = 1.4A
0
1 10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
0
1
2 3 4
Q - Charge (nC)
5
6
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
50k
Sameas
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge w aveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Sw itching time w aveforms
Sw itching time test circuit
ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
6 of 8
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2043TNW01-DA | SWITCH ROCKER 4PDT 6A 125V |
| 425F11K048M0000 | CRYSTAL 48.0 MHZ 8PF SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09DN8TCA | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A09G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZXMN6A09G(1) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
| ZXMN6A09G_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A09GTA | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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