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参数资料
| 型号： | ZXMP10A16KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V DPAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 235 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 717pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP10A16KDKR |
ZXMP10A16K
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Static
Drain-source breakdown
V (BR)DSS
-100
V
I D = 250 A, V GS =0V
voltage
Zero gate voltage drain current I DSS
-1
A
V DS = -100V, V GS =0V
Gate-body leakage
I GSS
100
nA
V GS =±20V, V DS =0V
Gate-source threshold voltage
Static drain-source on-state
V GS(th)
R DS(on)
-2.0
-4.0
0.235
V
W
I D = -250 A, V DS =V GS
V GS = -10V, I D = -2.1A
resistance (*)
0.285
V GS = -6V, I D = -1.9A
Forward transconductance (*) (?) g fs
4.7
S
V DS = -15V, I D = -2.1A
Dynamic (?)
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
C iss
C oss
C rss
717
55.3
46.4
pF
pF
pF
V DS = -50V, V GS =0V
f=1MHz
Switching (?) (?)
Turn-on-delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate drain charge
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
4.3
5.2
20
12.1
16.5
2.47
5.36
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD = -50V, I D = -1A
R G =6.0 , V GS = -10V
V DS = -50V, V GS = -10V
I D = -2.1A
Source-drain diode
Diode forward voltage (*)
V SD
-0.85
-0.95
V
T j =25°C, I S = -3.35A,
V GS =0V
Reverse recovery time (?)
Reverse recovery charge (?)
t rr
Q rr
43.3
76.5
ns
nC
T j =25°C, I S = -2.4A,
di/dt=100A/ s
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
(?) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(?) For design aid only, not subject to production testing.
Issue 1 - October 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZXMP10A17E6TA | 功能描述:MOSFET 100V P-Chanl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP10A17E6TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A17G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A17GTA | 功能描述:MOSFET 100V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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