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参数资料
| 型号： | ZXMP3A16N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1022pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP3A16N8DKR |
ZXMP3A16N8
CHARACTERISTICS
R DS(on)
10 Limited
2.0
1.6
1
DC
1.2
100m
1s
100ms
10ms
0.8
10m
Single Pulse
T amb =25°C
1ms
100μs
0.4
1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
Derating Curve
70
60
50
40
30
T amb =25°C
D=0.5
100
10
Single Pulse
T amb =25°C
20
10
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
0
100μ 1m
10m 100m
D=0.1
1
10
100
1k
1
100μ 1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
ISSUE 2 - MAY 2007
3
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP3A17DN8TA | MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| ZXMP3A17E6TA | MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 |
| ZXMP4A16GTA | MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 |
| ZXMP4A16KTC | MOSFET P-CHAN 40V DPAK |
| ZXMP4A57E6TA | MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP3A16N8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP3A17DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP3A17DN8(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMP3A17DN8TA | 功能描述:MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP3A17DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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