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参数资料
| 型号： | ZXMP3A16N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1022pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP3A16N8DKR |
ZXMP3A16N8
CHARACTERISTICS
T = 25°C
10V
4V
3.5V
T = 150°C
10V
4V
3.5V
10
3V
2.5V
10
3V
2.5V
2V
1
2V
-V GS
1
1.5V
0.1
0.01
1.5V
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.1
0.01
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
10
T = 150°C
1.4
1.2
V GS = -10V
I D = -4.2A
R DS(on)
1
T = 25°C
-V DS = 10V
1.0
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = -250uA
V GS(th)
0.1
1
2
3
0.4
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
100
10
1
1.5V
-V GS
2V
T = 25°C
2.5V
3V
3.5V
10
1
T = 150°C
T = 25°C
0.1
4V
10V
0.1
0.01
0.01
0.1 1
-I D Drain Current (A)
10
0.01 0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-V SD Source-Drain Voltage (V)
On-Resistance v Drain Current
ISSUE 2 - MAY 2007
5
Source-Drain Diode Forward Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMP3A17DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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