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参数资料
| 型号： | ZXMP3A16N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1022pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP3A16N8DKR |
ZXMP3A16N8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
STATIC
I =-250 A,V DS = V GS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
-30
-1.0
-1.0
100
V
A
nA
V
I D =-250 μ A, V GS =0V
V DS =-30V, V GS =0V
V GS = 20V, V DS =0V
D
Static Drain-Source On-State Resistance (1) R DS(on)
0.040
0.070
V GS =-10V, I D =-4.2A
V GS =-4.5V, I D =-3.4A
Forward Transconductance (1)(3)
g fs
9.2
S
V DS =-15V,I D =-4.2A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
C iss
1022
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
267
229
pF
pF
V DS =-15 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
3.8
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
6.5
37.1
21.4
17.2
29.6
2.8
8.6
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DD =-15V, I D =-1A
R G =6.0 Ω , V GS =-10V
V DS =-15V,V GS =-5V,
I D =-4.2A
V DS =-15V,V GS =-10V,
I D =-4.2A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge (3)
V SD
t rr
Q rr
-0.85
21.7
16.1
-0.95
V
ns
nC
T J =25°C, I S =-3.6A,
V GS =0V
T J =25°C, I F =-2A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width ≤ 300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 2 - MAY 2007
4
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| ZXMP3A17DN8TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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