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参数资料
| 型号： | 18448 |
| 英文描述： | Microprocessor Family CPU Thermal Management Application Note? 126KB (PDF) |
| 中文描述： | 微处理器系列CPU散热管理应用笔记？ 126KB（PDF格式） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 18448 |
AMD
6
CPU Thermal Management
through the layers to the case of the device. Figure 9
shows the transient response to a single heat pulse and
a series of pulses to the die.
The junction temperature of a semiconductor device
is related to the temperatures of the various other
elements surrounding it by mathematical relation-
ships similar to those that define the properties of an
electrical circuit that contains resistance and capac-
itance. It is convenient, therefore, to show the thermal
characteristics of a solid state device as analogous
to the electrical properties of a circuit.
The flow of heat is analogous to the flow of charge;
thermal resistance and capacitance are analogous to
electrical resistance and capacitance; and the potential
difference (voltage) between two points in an electrical
circuit is analogous to temperature difference. Table 2
shows these relationships.
Table 2. Comparison of Electrical Parameters to
Analogous Thermal Parameters
Table 3. Comparison of Electrical Parameters to
Analogous Thermal Parameter
Cooling curve
Heating curve
120
130
140
150
160
170
Steady State Response
Time (seconds)
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
Te
mp
era
ture
(
°C)
a. 20-ms Heat Pulse
T
rans
ie
nt
Powe
r
In
pu
t
0
50
100
150
200
Steady State Response
Time (seconds)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
T
e
m
p
er
a
tur
e
(
°C
)
b. 9-ms Square Pulse with a 12-ms period
Tran
si
ent
Po
wer
Inpu
t
Figure 9. Transient Responses
Electrical
Resistance
R(Ohms)
Capacitance
C
Amps-s/V
Voltage
VVolts
Current
IAmps
Conductivity
pOhms/cm2
Charge
q
Coulomb
Thermal
Thermal resistance
q
°C/W
Thermal capacitance
C
W-s/°C
Temp. difference
T°C
Power dissipation
PWatts
Thermal conductivity
K
W/in-°C
Quantity of heat
Q
Calories
Electrical
Resistance
R(Ohms)
Capacitance
C
Amps-s/V
Voltage
VVolts
Current
IAmps
Conductivity
pOhms/cm2
Charge
q
Coulomb
Thermal
Thermal resistance
q°C/W
Thermal capacitance
C
W-s/°C
Temp. difference
T°C
Power dissipation
PWatts
Thermal conductivity
K
W/in-°C
Quantity of heat
Q
Calories
R2
V1
V2
–
P
---------------------
=
θ2
T1
T2
–
P
--------------------
=
R2
V1
V2
–
P
---------------------
=
θ2
T1
T2
–
P
--------------------
=
APPENDIX
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1845E | Optoelectronic |
| 1845G | Optoelectronic |
| 1845H | Optoelectronic |
| 1847E | Optoelectronic |
| 1847G | Optoelectronic |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1844800000 | 制造商:Weidmuller 功能描述:CONN TERM BLOCKS 27 POS 5.08MM SLDR ST TH 10A - Bulk 制造商:Weidmuller 功能描述:LP3R 5.08/27/90 3.2SN OR |
| 1844808 | 功能描述:20 位 端接块 接头，公引脚，带罩（4 面） 0.100"（2.54mm） 90°，直角 通孔 制造商:phoenix contact 系列:COMBICON DMC 包装:带卷（TR） 零件状态:新产品 类型:接头，公引脚，带罩（4 面） 针脚数:20 每级针脚数:10 级别数:2 间距:0.100"（2.54mm） 针座方向:90°，直角 插线入口:- 端子类型:焊接 安装类型:通孔 电流 - IEC:6A 电压 - IEC:160V 电流 - UL:6A 电压 - UL:150V 线规或范围 - AWG:- 线规或范围 -?mm2:- 颜色:黑 工作温度:- 触头配接表面处理:金 特性:固定焊尾 标准包装:300 |
| 1844810000 | 制造商:Weidmuller 功能描述:CONN TERM BLOCKS 33 POS 5.08MM SLDR ST TH 10A - Bulk 制造商:Weidmuller 功能描述:LP3R 5.08/33/90 3.2SN OR |
| 1844811 | 功能描述:22 位 端接块 接头，公引脚，带罩（4 面） 0.100"（2.54mm） 90°，直角 通孔 制造商:phoenix contact 系列:COMBICON DMC 包装:带卷（TR） 零件状态:新产品 类型:接头，公引脚，带罩（4 面） 针脚数:22 每级针脚数:11 级别数:2 间距:0.100"（2.54mm） 针座方向:90°，直角 插线入口:- 端子类型:焊接 安装类型:通孔 电流 - IEC:6A 电压 - IEC:160V 电流 - UL:6A 电压 - UL:150V 线规或范围 - AWG:- 线规或范围 -?mm2:- 颜色:黑 工作温度:- 触头配接表面处理:金 特性:固定焊尾 标准包装:300 |
| 1844820000 | 制造商:Weidmuller 功能描述:CONN TERM BLOCKS 36 POS 5.08MM SLDR ST TH 10A - Bulk 制造商:Weidmuller 功能描述:LP3R 5.08/36/90 3.2SN OR |
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