收藏本站
参数资料
型号： 1N5225B
厂商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： Voltage regulator diodes
中文描述： 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件页数： 4/7页
文件大小： 37K
代理商： 1N5225B
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM75RL1A120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
May 2009
4
Detect Temperature of IGBT chip
–20
≤ Tj ≤ 125°C
VD = 15V, VCIN = 15V
(Note-2)
VD = 15V
(Note-2)
3.5
—
Mounting part
screw : M5
Main terminal part
screw : M5
—
Symbol
Parameter
Mounting torque
Weight
Condition
Unit
N m
g
Limits
Min.
Typ.
Max.
2.5
—
3.0
380
MECHANICAL RATINGS AND CHARACTERISTICS
—
VCE(sat)
ICES
VFM
V
mA
Min.
Typ.
Max.
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Forward Voltage
Collector-Emitter Cutoff
Current
IF = 50A
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Unit
Parameter
Symbol
Condition
Limits
2.15
2.35
3.3
1
10
1.65
1.85
2.3
—
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
BRAKE PART
VD = 15V, IC = 50A
VCIN = 0V, Pulsed
(Fig. 1)
VCE = VCES, VD = 15V
(Fig. 5)
VD = 15V, VCIN = 15V
Applied between : UP-VUPC, VP-VVPC, WP-VWPC
UN VN WN Br-VNC
ID
°C
V
mA
ms
16
4
1.8
2.3
—
12.5
—
0.01
15
—
mA
Circuit Current
Input ON Threshold Voltage
Input OFF Threshold Voltage
Short Circuit Trip Level
Short Circuit Current Delay
Time
Over Temperature Protection
Supply Circuit Under-Voltage
Protection
Fault Output Current
Minimum Fault Output Pulse
Width
Vth(ON)
Vth(OFF)
SC
toff(SC)
OT
OT(hys)
UV
UVr
IFO(H)
IFO(L)
tFO
Trip level
Hysteresis
Trip level
Reset level
CONTROL PART
—
1.2
1.7
150
100
—
135
—
11.5
—
1.0
Parameter
Symbol
Condition
Max.
Min.
Typ.
Unit
Limits
8
2
1.5
2.0
—
0.2
—
20
12.0
12.5
—
10
1.8
(Note-2) Fault output is given only when the internal SC, OT & UV protections schemes of either upper or lower arm device operate to
protect it.
V
s
VN1-VNC
V*P1-V*PC
Inverter part
Brake part
A
–20
≤ Tj ≤ 125°C, VD = 15V (Fig. 3,6)
VD = 15V
(Fig. 3,6)
RECOMMENDED CONDITIONS FOR USE
Recommended value
Unit
Condition
Symbol
Parameter
V
Applied across P-N terminals
Applied between : VUP1-VUPC, VVP1-VVPC
VWP1-VWPC, VN1-VNC
(Note-3)
Applied between : UP-VUPC, VP-VVPC, WP-VWPC
UN VN WN Br-VNC
Using Application Circuit of Fig. 8
Supply Voltage
Control Supply Voltage
Input ON Voltage
Input OFF Voltage
PWM Input Frequency
≤ 800
15.0
± 1.5
≤ 0.8
≥ 9.0
≤ 20
VCC
VCIN(ON)
VCIN(OFF)
fPWM
VD
V
kHz
(Note-3) With ripple satisfying the following conditions: dv/dt swing
≤ ±5V/s, Variation ≤ 2V peak to peak
tdead
Arm Shoot-through Blocking
Time
For IPM’s each input signals
(Fig. 7)
≥ 2.5
s
≤ ± 5V/s
≤ 2V
GND
15V
相关PDF资料
PDF描述
1N5226B Voltage regulator diodes
1N5228B Voltage regulator diodes
1N5229 surface mount silicon Zener diodes
1N5232B Voltage regulator diodes
1N5235B Voltage regulator diodes
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5225B (DO-35) 制造商:Aeroflex 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGUL 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE DO-35 SD - Bulk
1N5225B _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N5225B A0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000
1N5225B BK 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N5225B TR 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*