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参数资料
| 型号： | 1N5225B |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Voltage regulator diodes |
| 中文描述： | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5225B |
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM75RL1A120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
May 2009
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
20
40
60
80
100
101
23 4 5
7
102
23 4 5
7
10–1
100
2
3
4
5
7
101
2
3
4
5
7
10–1
100
2
3
4
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101
2
3
4
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7
100
101
23 4 5
7
102
23 4 5
7
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
12
13
14
15
16
17
18
Tj = 25
°C
13V
VD = 17V
VD = 15V
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
VD = 15V
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
IC = 75A
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
ton
toff
VCC = 600V
VD = 15V
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Inductive load
VCC = 600V
VD = 15V
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Inductive load
tc(on)
tc(off)
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE (VS. Ic) CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR CURRENT IC (A)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE (VS. VD) CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
V
CE(sat)
(V)
CONTROL POWER SUPPLY VOLTAGE VD (V)
COLLECTOR
RECOVERY
CURRENT
–I
C
(A)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE VEC (V)
DIODE FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SWITCHING
TIME
t
on
,t
off
(
s)
SWITCHING TIME (ton, toff) CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR CURRENT IC (A)
SWITCHING TIME (tc(on), tc(off)) CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SWITCHING
TIME
t
c(on)
,t
c(off)
(
s)
COLLECTOR CURRENT IC (A)
15V
101
100
102
5
7
103
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
PERFORMANCE CURVES
(Inverter Part)
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