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参数资料
| 型号： | 1N5822G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 525mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 40V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5822G-ND 1N5822GOS |
    1N5820, 1N5821, 1N5822 http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol 1N5820 1N5821 1N5822 Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM VR 20 30 40 V Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 24 36 48 V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 14 21 28 V Average Rectified Forward Current (Note 1) VR(equiv) 0.2 V R(dc), TL = 95 °C (RJA = 28 °C/W, P.C. Board Mounting, see Note 5) IO 3.0 A Ambient Temperature Rated VR(dc), PF(AV) = 0 RJA = 28 °C/W TA 90 85 80 °C Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions, half wave, single phase 60 Hz, TL = 75 °C) IFSM 80 (for one cycle) A Operating and Storage Junction Temperature Range (Reverse Voltage applied) TJ, Tstg -65 to +125 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. *THERMAL CHARACTERISTICS (Note 5) Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RJA 28 °C/W *ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T L = 25 °C unless otherwise noted) (Note 1) Characteristic Symbol 1N5820 1N5821 1N5822 Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (iF = 1.0 Amp) (iF = 3.0 Amp) (iF = 9.4 Amp) VF 0.370 0.475 0.850 0.380 0.500 0.900 0.390 0.525 0.950 V Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 2) TL = 25 °C TL = 100 °C iR 2.0 20 2.0 20 2.0 20 mA 1. Lead Temperature reference is cathode lead 1/32″ from case. 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%. *Indicates JEDEC Registered Data for 1N5820-22. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-0515SRW/H2/A/M/SMD-R | CONV DC/DC 3W 4.5-9VIN 15VOUT |
| REC3-123.3DRW/H2/A/SMD-R | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-3.3VOUT |
| P51-3000-A-M-I12-5V-000-000 | SENS 3000PSI 22MM M10-1.0 6G 5V |
| REC5-0515SRW/H4/A/SMD/CTRL | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN 15VOUT |
| P51-300-A-Z-M12-5V-000-000 | SENS 300PSI 1/4-18 NPT 1-5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5822-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifier |
| 1N5822G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| 1N5822H | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 1N5822HA0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5822HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
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