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参数资料
| 型号： | 1N5822G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 525mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 40V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5822G-ND 1N5822GOS |
       1N5820, 1N5821, 1N5822 http://onsemi.com 5 Figure 1. Maximum Reference Temperature 1N5820 Figure 2. Maximum Reference Temperature 1N5821 Figure 3. Maximum Reference Temperature 1N5822 Figure 4. Steady-State Thermal Resistance 3.0 4.0 7.0 10 2015 75 2.0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 115 125 105 5.0 7.0 10 15 20 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8 1.030 75 4.0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 125 115 105 95 85 L, LEAD LENGTH (INCHES) 1/8 0 0 25 20 15 10 5.0 2/8 40 T R , REFERENCE TEMPERATURE ( C) T R JL , THERMAL RESISTANCE 95 85 5.0 ° 40 35 30 JUNCTION-TO-LEAD ( C/W) ° BOTH LEADS TO HEATSINK, EQUAL LENGTH MAXIMUM TYPICAL , REFERENCE TEMPERATURE ( C) R ° RJA ( °C/W) = 70 50 40 28 20 15 10 8.0 3.0 4.0 7.0 10 2015 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 115 105 T R , REFERENCE TEMPERATURE ( C) 95 85 75 5.0 ° RJA ( °C/W) = 70 50 40 28 20 15 10 8.0 125 30 RJA ( °C/W) = 70 50 40 28 20 15 10 8.0 r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 0.05 0.03 0.02 0.01 0.1 t, TIME (ms) 0.5 0.3 0.2 1.0 LEAD LENGTH = 1/4″ Ppk Ppk tp t1 TIME DUTY CYCLE = tp/t1 PEAK POWER, Ppk, is peak of an equivalent square power pulse. TJL = P pk ? R JL [D + (1 - D) ? r(t 1 + t p) + r(tp) - r(t1)] where: TJL = the increase in junction temperature above the lead temperature. r(t) = normalized value of transient thermal resistance at time, t, i.e.: r(t1 + t p) = normalized value of transient thermal resistance at time t1 + t p, etc. Figure 5. Thermal Response 20 k The temperature of the lead should be measured using a ther‐ mocouple placed on the lead as close as possible to the tie point. The thermal mass connected to the tie point is normally large enough so that it will not significantly respond to heat surges generated in the diode as a result of pulsed operation once steady-state conditions are achieved. Using the measured value of TL, the junction temperature may be determined by: TJ = T L + TJL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-0515SRW/H2/A/M/SMD-R | CONV DC/DC 3W 4.5-9VIN 15VOUT |
| REC3-123.3DRW/H2/A/SMD-R | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-3.3VOUT |
| P51-3000-A-M-I12-5V-000-000 | SENS 3000PSI 22MM M10-1.0 6G 5V |
| REC5-0515SRW/H4/A/SMD/CTRL | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN 15VOUT |
| P51-300-A-Z-M12-5V-000-000 | SENS 300PSI 1/4-18 NPT 1-5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5822-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifier |
| 1N5822G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| 1N5822H | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 1N5822HA0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5822HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
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