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参数资料
| 型号： | 1N5822G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 525mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 40V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N5822G-ND 1N5822GOS |
    1N5820, 1N5821, 1N5822 http://onsemi.com 6 0.7 1.0 7.0 103.0 0.1 IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMP) 10 7.0 5.0 0.7 0.5 0.1 5.0 P 0.2 0.3 0.5 2.0 , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS) F(AV) 3.0 2.0 1.0 0.3 0.2 Figure 6. Forward Power Dissipation 1N5820-22 dc SQUARE WAVE TJ ≈ 125 °C SINE WAVE I(FM) I(AV) Capacitive Loads 5.0 10 20 TA(A) TA(K) TL(A) TC(A) TJ TC(K) TL(K) PD RS(A) RL(A) RJ(A) RJ(K) RL(K) RS(K) NOTE 4 - APPROXIMATE THERMAL CIRCUIT MODEL Use of the above model permits junction to lead thermal resistance for any mounting configuration to be found. For a given total lead length, lowest values occur when one side of the rectifier is brought as close as possible to the heat sink. Terms in the model signify: TA = Ambient Temperature T C = Case Temperature TL = Lead Temperature T J = Junction Temperature RS = Thermal Resistance, Heatsink to Ambient RL = Thermal Resistance, Lead-to-Heatsink RJ = Thermal Resistance, Junction-to-Case PD = Total Power Dissipation = P F + P R PF = Forward Power Dissipation PR = Reverse Power Dissipation (Subscripts (A) and (K) refer to anode and cathode sides, respectively.) Values for thermal resistance components are: RL = 42 °C/W/in typically and 48°C/W/in maximum RJ = 10 °C/W typically and 16°C/W maximum The maximum lead temperature may be found as follows: TL = T J(max) T JL where T JL R JL · P D TYPICAL VALUES FOR RJA IN STILL AIR Data shown for thermal resistance junction-to-ambient (RJA) for the mountings shown is to be used as typical guideline values for preliminary engineering, or in case the tie point temperature cannot be measured. 1 2 3 Mounting Method Lead Length, L (in) 1/8 1/4 1/2 3/4 RJA 50 51 53 55 °C/W °C/W °C/W 58 59 61 63 28 NOTE 5 — MOUNTING DATA Mounting Method 1 P.C. Board where available copper surface is small. Mounting Method 3 P.C. Board with 2-1/2, x 2-1/2, copper surface. BOARD GROUND PLANE VECTOR PUSH-IN TERMINALS T-28 Mounting Method 2 LL LL L = 1/2″ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-0515SRW/H2/A/M/SMD-R | CONV DC/DC 3W 4.5-9VIN 15VOUT |
| REC3-123.3DRW/H2/A/SMD-R | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-3.3VOUT |
| P51-3000-A-M-I12-5V-000-000 | SENS 3000PSI 22MM M10-1.0 6G 5V |
| REC5-0515SRW/H4/A/SMD/CTRL | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN 15VOUT |
| P51-300-A-Z-M12-5V-000-000 | SENS 300PSI 1/4-18 NPT 1-5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5822-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifier |
| 1N5822G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| 1N5822H | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 1N5822HA0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5822HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
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