参数资料
型号: 1N5822G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 123K
描述: DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD
产品目录绘图: Rectifier DO-201AD Pkg
标准包装: 500
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 525mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2mA @ 40V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 散装
产品目录页面: 1567 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1N5822G-ND
1N5822GOS
1N5820, 1N5821, 1N5822
http://onsemi.com
7
75°C
25°C
100°C
TJ
= 125
°C
NOTE 6 — HIGH FREQUENCY OPERATION
Since current flow in a Schottky rectifier is the result of
majority carrier conduction, it is not subject to junction di‐
ode forward and reverse recovery transients due to minority
carrier injection and stored charge. Satisfactory circuit ana‐
lysis work may be performed by using a model consisting
of an ideal diode in parallel with a variable capacitance.
(See Figure 10.)
Figure 7. Typical Forward Voltage
Figure 8. Maximum Non-Repetitive Surge
Current
Figure 9. Typical Reverse Current
0.1 0.5 0.7 1.30.9
1.1
1.2
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
50
5.0
NUMBER OF CYCLES
5.0 1007.0 10
20 30 50 70
10
1.0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
4.0 12 20 28 368.0
0
50
0.2
0.01
16
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP)
I
0.5
0.05
0 0.2 0.6 0.80.3
0.4
2.0 3.0
100
24 32 40
1.4
100
20
0.1
, PEAK HALF-WAVE CURRENT (AMP)
FSM
70
50
30
20
TJ
= 100
°C
25°C
1.0
0.3
0.2
0.1
0.07
0.7
1.0
2.0
3.0
7.0
10
20
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.7 7.0 20 301.0
0.5
200
70
2.0 3.0 5.0 10
500
300
100
C, CAPACITANCE (pF)
1N5820
1N5821
1N5822
TJ
= 25
°C
f = 1.0 MHz
TL
= 75
°C
f = 60 Hz
SURGE APPLIED AT RATED LOAD CONDITIONS
Figure 10. Typical Capacitance
I , REVERSE CURRENT (mA)
R
0.02
0.05
10
1.0
0.5
5.0
2.0
1N5820
1N5821
1N5822
1 CYCLE
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