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参数资料
| 型号： | 1N5822G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Axial Lead Rectifiers |
| 中文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 1N5822G |
1N5820, 1N5821, 1N5822
http://onsemi.com
7
75
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 125
°
C
NOTE 6 — HIGH FREQUENCY OPERATION
Since current flow in a Schottky rectifier is the result of
majority carrier conduction, it is not subject to junction
diode forward and reverse recovery transients due to minor-
ity carrier injection and stored charge. Satisfactory circuit
analysis work may be performed by using a model consist-
ing of an ideal diode in parallel with a variable capacitance.
(See Figure 10.)
Figure 7. Typical Forward Voltage
Figure 8. Maximum NonRepetitive Surge
Current
Figure 9. Typical Reverse Current
1.2
v
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
50
5.0
NUMBER OF CYCLES
5.0
100
1.0
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
8.0
0
50
0.2
0.01
16
iF
I
0.5
0.4
0
0.2
0.6
0.8
7.0 10
2.0
3.0
100
24
32
40
0.05
1.4
100
20
0.1
,
F
70
50
30
20
T
J
= 100
°
C
25
°
C
1.0
0.3
0.2
0.1
0.07
0.7
1.0
2.0
3.0
7.0
10
20
30
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.5
200
70
2.0
3.0
5.0
10
500
300
100
C
0.7
7.0
20
30
1N5820
1N5821
1N5822
T
J
= 25
°
C
f = 1.0 MHz
20
30
50
70
T
L
= 75
°
C
f = 60 Hz
SURGE APPLIED AT RATED LOAD CONDITIONS
Figure 10. Typical Capacitance
I
R
0.02
0.05
10
1.0
0.5
5.0
2.0
4.0
12
20
28
36
1N5820
1N5821
1N5822
1 CYCLE
1.1
0.3
0.1
0.5
0.7
1.3
0.9
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5822HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
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