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2N5401Y/2N5551Y

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2N5401Y/2N5551Y 技术参数
  • 2N5401TFR 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401TF 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401TAR 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401TA 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401RLRMG 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5428 2N5429 2N5430 2N5432-2 2N5433 2N5433-2 2N5433-E3 2N5434 2N5457 2N5457_D26Z 2N5457_D27Z 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z 2N5458_D27Z
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